Каталог

0 800 201 865

Оформити замовлення

Пн-Пт: 9:00 - 20:00
Сб-Вс: 10:00 - 19:00

дзвінок безкоштовний (по Україні)

0 800 209 145

Сервісний центр

Пн-Сб: 9:00 - 18:00
Вс: выходной

Передзвонити мені
RU
UA
Сервисы

ОЗУ DDR4 2x8GB/3200 G.Skill Aegis (F4-3200C16D-16GIS)

Написать отзыв
Написать отзыв
Код: 48927
Артикул: F4-3200C16D-16GIS
1 271 ₴
1 155 ₴
Сообщить, когда появится

Характеристики G.Skill Aegis

Тип памяти
DDR4
Объем памяти
16 ГБ
Количество планок
2 шт
Схема таймингов памяти
CL16
Частота памяти
3200 МГц
Назначение
Для компьютеров (DIMM)
Все характеристики

Другие товары бренда G.Skill

На брендовую страницу

G.Skill

На брендовую страницу

G.Skill

Обзор G.Skill Aegis

Модули памяти серии Aegis предназначенные для модернизации, повышения производительности и высокой стабильности на новейших игровых системах.

Память изготовлена из высококачественных отобранных вручную компонентов и протестированы по строгим стандартам G.Skill, на всех основных материнских платах большинства производителей, Память Aegis Gaming DDR4 предназначена для лучшей совместимости и стабильности самого широкого выбора материнских плат.

Разработана с низким напряжением 1.2-1.35 В по стандарту DDR4, это снижает требование по напряжению на 20%, по сравнению с наборами памяти DDR3! Теперь ваша система может работать еще быстрее.

Просто установите и играйте. Запрограммированные с последними профилями Intel XMP 2.0. Единственное, что между вами и экстремальной производительностью — простая установка.

Характеристики ОЗУ DDR4 2x8GB/3200 G.Skill Aegis (F4-3200C16D-16GIS)

Гарантия и производитель

Гарантия

99 мес

Бренд

G.Skill

Страна регистрации бренда

Тайвань

Страна производитель товара

Тайвань
Технические свойства

Тип товара

Оперативная память
Основные характеристики

Цвет

Чёрный

Тип памяти

DDR4

Объем памяти

16 ГБ

Количество планок

2 шт

Схема таймингов памяти

CL16

Частота памяти

3200 МГц

Назначение

Для компьютеров (DIMM)

Подсветка

Нет

Тип охлаждения

Радиатор
Дополнительные функции

Номинальное напряжение

1.35 В